开关二极管

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片式二极管【SMD Diode】全称：片式晶体二极管，也称为：贴片二极管。

二极管与三极管一样属于基础的片式半导体器件，其重要的性质就是单向导电特性。半导体是一种特殊性质的物质，它不像导体一样可以导电，也不像绝缘体那样不 能导电，而是介于二者之间，所以称之为半导体，在半导体中有二种重要的元素就是硅和锗，晶体二极管根据所用的半导体材料，可分为锗二极管（Ge管）和硅 二极管（Si管）。

贴片二极管按照不同功能和用途可分为贴片式开关二极管、变容二极管、稳压片式二极管、整流片式二极管 、肖特基片式二极管、瞬变抑制二极管、发光二极管等。目前国内贴片二极管主要生产厂家包括风华高科（FH）和江苏长电科技JCST等。国外二极管品牌包括VISHAY（威世）、ST（意法半导体）、东芝 、AVAGO（安华高）等，目前在常规用途和封装方面，国内二极管品牌与国外相比没有明显差距。

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开关二极管

开关二极管是半导体二极管的一种，是为在电路上进行"开"、"关"而特殊设计制造的一类二极管。它由导通变为截止或由截止变为导通所需的时间比一般二极管短，常用型号为1N4148等。

开关二极管从截止（高阻状态）到导通（低阻状态）的时间叫开通时间；从导通到截止的时间叫反向恢复时间；两个时间之和称为开关时间。一般反向恢复时间大于开通时间，故在开关二极管的使用参数上只给出反向恢复时间。

开关二极管具有开关速度快、体积小、寿命长、可靠性高等特点，广泛应用于电子设备的开关电路、检波电路、高频和脉冲整流电路及自动控制电路中。

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变容二极管

变容二极管(Varactor Diodes)又称"可变电抗二极管"。是一种利用PN结电容（势垒电容)与其反向偏置电压Vr的依赖关系及原理制成的二极管。当外加顺向偏压时，有大量电流产生，PN（正负极）接面的耗尽区变窄，电容变大，产生扩散电容效应；当外加反向偏压时，则会产生过渡电容效应。但因加顺向偏压时会有漏电流的产生，所以在应用上均供给反向偏压。在高频调谐、通信等电路中作可变电容器使用。反向偏压越高，结电容则越少，反向偏压与结电容之间的关系是非线性的。

主要参数：零偏结电容、零偏压优值、反向击穿电压、中心反向偏压、标称电容、电容变化范围（以皮法为单位）以及截止频率等。

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贴片稳压二极管/齐纳二极管

稳压二极管(又叫齐纳二极管)是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件。在这临界击穿点上，反向电阻降低到一个很小的数值，在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定，稳压二极管是根据击穿电压来分档的。因为这种特性，稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用。

参数：（1）稳定电压；（2）电压温度系数；（3）动态电阻；（4）稳定电流 ，*大、*小稳定电流；（5）*大允许功耗。

特点：被击穿后，其两端的电压基本保持不变。当把稳压管接入电路以后，若由于电源电压发生波动，或其它原因造成电路中各点电压变动时二极管，负载两端的电压将基本保持不变。

两个稳压二极管反向串联的作用：1、经常在功率较大的放大电路，功率管的基极b与发射极e即发射结并联两个反向的二极管，这是通过对发射结输入电流的分流作用而起保护作用；2、两个二极管反向串联后对与之并联的电路可起过压保护作用，当电路过压时，二极管首先击穿短路；

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贴片整流二极管

整流二极管英文全称rectifier diode，一般为平面型硅二极管，用于各种电源整流电路中，是一种用于将交流电转变为直流电的半导体器件。整流二极管具有明显的单向导电性,可用半导体锗或硅等材料制造。硅整流二极管的击穿电压高，反向漏电流小，高温性能良好。通常高压大功率整流二极管都用高纯单晶硅制造(掺杂较多时容易反向击穿）。这种器件的结面积较大，能通过较大电流（可达上千安），但工作频率不高，一般在几十千赫以下,主要用于各种低频半波整流电路，如需达到全波整流需连成整流桥使用。