晶振 电容 晶振电容的选择_电子/电路_工程科技_专业资料

晶振电容的选择1:如何选择晶振 对于一个高可靠性的系统设计,晶体的选择非常重要,尤其 设计带有睡眠唤醒(往往用低电压以求低功耗)的系统。 这是因为 低供电电压使提供给晶体的激励功率减少, 造成晶体起振很慢或 根本就不能起振。这一现象在上电复位时并不特别明显,原因是 上电时电路有足够的扰动,很容易建立振荡。在睡眠唤醒时,电 路的扰动要比上电时小得多, 起振变得很不容易。 在振荡回路中, 晶体既不能过激励(容易振到高次谐波上)也不能欠激励(不容易 起振)。晶体的选择至少必须考虑:谐振频点,负载电容,激励 功率,温度特性,长期稳定性。一般来说某一种单片机或外围芯 片都会给出一个或几个典型适用的晶振晶振 电容,常用的像 51 单片机用 12M 晶振,ATmega 系列单片机可以用 8M,16M,7.3728M 等。这 里有一个经验可以分享一下, 如果所使用的单片机内置有 PLL 即 锁相环,那么所使用的外部晶振都是低频率的,如 32.768K 的晶 振等, 因为可以通过 PLL 倍频而使单片机工作在一个很高的频率 下。2:如何选择电容起振电容 从原理上讲直接将晶振接到单片机上,单片机就可以工作。 但这样构成的振荡电路中会产生偕波(也就是不希望存在的其他频率的波),这个波对电路的影响不大,但会降低电路的时钟振荡 器的稳定性.为了电路的稳定性起见,建议在晶振的两引脚处接 入两个瓷片电容接地来削减偕波对电路的稳定性的影响,所以晶 振必须配有起振电容, 但电容的具体大小没有什么普遍意义上的 计算公式,不同芯片的要求不同。 (1):因为每一种晶振都有各自的特性,所以最好按制造 厂商所提供的数值选择外部元器件。 (2):在许可范围内晶振 电容,C1,C2 值越低越好。C 值偏大虽有利 于振荡器的稳定,但将会增加起振时间,比较常用的为 15p-30p 之间。

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