后续处理对SrTiO_3基晶界层电容器绝缘电阻的影响_张木森

第 43 卷第 3 期2021 年 5 月湖北大学学报(自然科学版)Journal of Hubei University(Natural Science)Vol．43 No．3May 2021收稿日期:2020－12－01基金项目:国家自然科学基金(11674086)及贵州省经济和信息化委员会技术创新项目(2017021)资助作者简介:张木森(1995－ )，男，硕士生;杨昌平，通信作者，教授，E-mail:cpyang@ hubu．edu．cn文章编号:1000－2375(2021)03－0289－06后续处理对 SrTiO 3 基晶界层电容器绝缘电阻的影响张木森1 ，石大为 2 ，徐玲芳 1 ，王瑞龙 1 ，肖海波 1 ，梁世恒 1 ，杨昌平 1，3(1． 湖北大学物理与电子科学学院，湖北 武汉 430062;2． 湖北理工学院数理学院，湖北 黄石 435003;3．太原科技大学材料科学与工程学院，山西 太原 030024)摘要:采用二步法制备 SrTiO 3 晶界层电容器，并对其进行后续热、电和液氮处理，研究处理前后电容器电学性能的变化．实验结果表明，在 50 V 直流电压和 200 ℃条件下对 SrTiO 3 晶界层电容器进行后续快速退火和液氮处理后，其介电常数和介电损耗在基本保持不变的情况下，其绝缘电阻值可得到大幅提升，从最初 30 GΩ 上升至 200 GΩ．通过处理，最后可获得平均介电常数为 30 000，损耗为 0。

003，绝缘电阻(50 V 测量)为 200 GΩ 的高性能 SrTiO 3 晶界层电容器．关键词:SrTiO 3 晶界层电容器;介电性能;后续热电处理;绝缘电阻中图分类号:TQ174。 75 文献标志码:A DOI:10． 3969/j．issn． 1000-2375． 2021． 03． 010著录信息: 张木森，石大为，徐玲芳，等．后续处理对 SrTiO 3 基晶界层电容器绝缘电阻的影响［J］．湖北大学学报(自然科学版)，2021，43(3):289-294．Zhang M S，Shi D W，Xu L F，et al． Effect of subsequent thermal and electrical treatment on resistance of SrTiO 3 grain boundary layercapacitors［J］．Journal of Hubei University(Natural Science)，2021，43(3):289-294．Effect of subsequent thermal and electrical treatment on resistance ofSrTiO 3 grain boundary layer capacitorsZHANG Musen 1 ，SHI Dawei 2 ，XU Lingfang 1 ，WANG Ｒuilong 1 ，XIAO Haibo 1 ，LIANG Shiheng 1 ，YANG Changping 1，3(1． Faculty of Physics and Electronic Technology，Hubei University，Wuhan 430062，China;2． College of Mathematical and Physical Sciences，Hubei Polytechnic University，Huangshi 435003，China;3． Faculty of Materials Science and Engineering，Taiyuan University of Science and Technology，Taiyuan 030024，China)Abstract:SrTiO 3 grain boundary layer capacitors were fabricated by the two-step method and thedielectric properties were studied． The results show that the insulating resistance of SrTiO 3 grain boundary layercapacitor can be dramatically enhanced from the initial 30 GΩ up to 200 GΩ by the subsequent treatment ofrapid annealing at 200 ℃ under 50 V with quenching in liquid nitrogen while the dielectric constant anddielectric loss remain basically unchanged． Herein，a SrTiO 3 grain boundary layer ceramic capacitor with anaverage value of 30 000 for dielectric constant，dielectric loss 0。