瓷介电容分类 瓷介电容制造工序

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瓷介电容是一种主体为标准独石结构的电容器,在高频和低频电路中都可适用。引出端用可焊接的金属或合金制成瓷介电容,高频与非高频瓷介电容有明显的标志区别。

瓷介电容的分类

瓷介电容可分为低压低功率和高压高功率,在低压低功率中又可分为I型(CC型)和II型(CT型)。

I型(CC型)特点是体积小,损耗低,电容对频率,温度稳定性都较高,常用于高频电路。

II型(CT型)特点是体积小,损耗大,电容对温度频率,稳定性都较差,常用于低频电路。

瓷介电容的制造工序

据《GJB192A瓷介电容器总规范》规定,瓷介电容技术的工序应该包括但不限于下列工序

a原材料的配料与混合

b介质片的制造

c叠片和印制电极

d层压和切块

e芯片烧结

f端电极涂镀

g包装

瓷介电容的参数举例

CT1型圆形瓷片低频电容

环境温度:-25—85C相对湿度:+40C时达96%工作电压50V电容范围和允差:101—472(+-10%)472-403(+80---20%)

CC01圆形:1000mohm

允差:+80-20%容量:1000-47000p

工作电压:63v试验电压:200v

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