今天小编要和大家分享的是瓷介电容分类 瓷介电容制造工序,接下来我将从瓷介电容的分类,瓷介电容的制造工序,瓷介电容的参数举例,这几个方面来介绍。
瓷介电容是一种主体为标准独石结构的电容器,在高频和低频电路中都可适用。引出端用可焊接的金属或合金制成瓷介电容,高频与非高频瓷介电容有明显的标志区别。
瓷介电容的分类
瓷介电容可分为低压低功率和高压高功率,在低压低功率中又可分为I型(CC型)和II型(CT型)。
I型(CC型)特点是体积小,损耗低,电容对频率,温度稳定性都较高,常用于高频电路。
II型(CT型)特点是体积小,损耗大,电容对温度频率,稳定性都较差,常用于低频电路。
瓷介电容的制造工序
据《GJB192A瓷介电容器总规范》规定,瓷介电容技术的工序应该包括但不限于下列工序
a原材料的配料与混合
b介质片的制造
c叠片和印制电极
d层压和切块
e芯片烧结
f端电极涂镀
g包装
瓷介电容的参数举例
CT1型圆形瓷片低频电容
环境温度:-25—85C相对湿度:+40C时达96%工作电压50V电容范围和允差:101—472(+-10%)472-403(+80---20%)
CC01圆形:1000mohm
允差:+80-20%容量:1000-47000p
工作电压:63v试验电压:200v
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