PN结有单向导电性雪崩二极管,正向电阻小,反向电阻很大。
当反向电压增大到一定数值时,反向电流突然增加。就是反向电击穿。它分雪崩击穿和齐纳击穿。
雪崩击穿是PN结反向电压增大到一数值时,载流子倍增就像雪崩一样,增加得多而快。
利用这个特性制作的二极管就是雪崩二极管
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这是相当简略的解释。。。我是学半导体的。。。。
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借光楼主,我对这个问题也不明白,请问liuking123:
雪崩二极管和齐纳二极管有什么区别?
雪崩二极管用在什么地方?
稳压二极管应该是齐纳二极管;
如蒙解释雪崩二极管,万分感谢!
雪崩击穿是在电场作用下,载流子能量增大,不断与晶体原子相碰,使共价键中的电子激发形成自由电子-空穴对。新产生的载流子又通过碰撞产生自由电子-空穴对,这就是倍增效应。1生2,2生4,像雪崩一样增加载流子。
齐纳击穿完全不同,在高的反向电压下,PN结中存在强电场,它能够直接破坏!共价键将束缚电子分离来形成电子-空穴对,形成大的反向电流。齐纳击穿需要的电场强度很大!只有在杂质浓度特别大!!的PN结才做得到。(杂质大电荷密度就大)
一般的二极管掺杂浓度没这么高,它们的电击穿都是雪崩击穿。齐纳击穿大多出现在特殊的二极管中,就是稳压二极管
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