雪崩二极管 雪崩光电二极管_电子/电路_工程科技_专业资料

光电二极管利用光产生伏打效应,将光信号转 变成电信号的光探测器件。 基于反偏压结(PN结,肖特基结)的 少子抽取作用。光照产生非平衡载流子, 被内建电场和反偏压电场漂移,形成大 的反向电流,既光电流。光电流与入射 光强度成正比,与入射光频率密切相关雪崩二极管, 因此可以把光信号转变成电信号,从而 起到光探测的目的。雪崩光电二极管是利用PN结在高反向电压下产 生的雪崩效应来工作的一种二极管。雪崩光电二极管是具有内增益的一种光伏器件。 它利用光生载流子在强电场内的定向运动产生雪崩效应, 以获得光电流的增益。在雪崩过程中,光生载流子在 强电场的作用下高速定向运动,具有很高动能的光生 电子或空穴与晶格原子碰撞,使晶格原子电离产生二 次电子-空穴对;二次电子和空穴对在电场的作用下 获得足够的动能,又使晶格原子电离产生新的电子- 空穴对,此过程像“雪崩”似地继续下去。电离产生 的载流子数远大于光激发产生的光生载流子数,这时 雪崩光电二极管的输出电流迅速增加。高速运动的电子和晶格原子相碰撞, 使晶格原子电离,产生新 的电子 - 空穴对。新产生的二次电子再次和原子碰撞。如此多 次碰撞,产生连锁反应,致使载流子雪崩式倍增。

所以这种器 件就称为雪崩光电二极管(APD)。光电二极管的电流增益用倍增因子M表示:其中,IM是雪崩增益后输出电流的平均值,IP未倍增时的初级光电流。V是 反向偏压,VB是二极管击穿电压。n一般为2.5~7。实际上雪崩过程是统计过程, 并不是每一个光子都经过了同样的放大,所以M只是一个统计平均值。响应度RAPD:表征光电二极管的转换效 率。η:量子效率意义:单位入射光功率所产生的短路光电流信噪比:APD由于具有内部增益,因此没有放大器噪声的影响。 与普通光电二极管相比雪崩二极管,有更高的灵敏度。散射噪声:由于一个个入射光子产生的不均匀的或杂乱的电子空穴对引起的。既有器件的粒子无规则起伏引起的。暗电流噪声:没有光入射时,流过检测器偏置的电流引起的噪声。过剩噪声:由于雪崩过程具有随机特性,光生载流子增益过程因增益的随机起伏,产生了一种超过原来散射噪声水平 的噪声,称为过剩噪声。不同温度下,倍增因子与偏置电 压的关系曲线不同温度下,APD电流与偏置电压的 关系曲线这是因为增大温度,非离 化散射增大,使得离化系 数降低,增益降低。故而 降温有利于弱电流探测。?雪崩光电二极管特点:?雪崩光电二极管具有电流增益大,灵敏度高,频率 响应快的优点。是目前响应最快的一种光敏二极管。它 在微弱辐射信号的探测,光子计数方向被广泛地应用。 ?在设计雪崩光敏二极管时,要保证载流子在整个光 敏区的均匀倍增,这就需要选择无缺陷的材料,必 须保持更高的工艺和保证结面的平整。 ?其缺点是工艺要求高,受温度影响大。

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