快恢复二极管 FRD（Fast Recovery Diode）是近年来问世的新型半导体器件，具有开关特性 好，反向恢复时间短、正向电流大、体积小、安装简便等优点。超快恢复二极管 SRD （Super fast Recovery Diode），则是在快恢复二极管基础上发展而成的，其反向恢复时间 trr 值已接近 于肖特基二极管的指标。 它们可广泛用于开关电源、 脉宽调制器 （PWM） 不间断电源 、 （UPS） 、 交流电动机变频调速（VVVF）、高频加热等装置中，作高频、大电流的续流二极管或整流管， 是极有发展前途的电力、电子半导体器件。 1．性能特点 性能特点 （1）反向恢复时间 反向恢复时间 反向恢复时间 tr 的定义是：电流通过零点由正向转换到规定低值的时间间隔。它是衡量高频续 流及整流器件性能的重要技术指标。反向恢复电流的波形如图 1 所示。IF 为正向电流，IRM 为最 大反向恢复电流。Irr 为反向恢复电流，通常规定 Irr=0.1IRM。当 t≤t0 时，正向电流 I=IF。当 t＞t0 时，由于整流器件上的正向电压突然变成反向电压，因此正向电流迅速降低，在 t=t1 时刻，I=0。
然后整流器件上流过反向电流 IR， 并且 IR 逐渐增大； t=t2 时刻达到最大反向恢复电流 IRM 值。 在 此后受正向电压的作用，反向电流逐渐减小，并在 t=t3 时刻达到规定值 Irr。从 t2 到 t3 的反向恢 复过程与电容器放电过程有相似之处。 （2）快恢复、超快恢复二极管的结构特点 快恢复、 快恢复 快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同，它是在 P 型、N 型硅材料中间增加了基区 I，构 成 P-I-N 硅片。由于基区很薄，反向恢复电荷很小，不仅大大减小了 trr 值，还降低了瞬态正向压 降，使管子能承受很高的反向工作电压。快恢复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒，正向压 降约为 0.6V，正向电流是几安培至几千安培，反向峰值电压可达几百到几千伏。超快恢复二极 管的反向恢复电荷进一步减小，使其 trr 可低至几十纳秒。 20A 以下的快恢复及超快恢复二极管大多采用 TO-220 封装形式。 从内部结构看， 可分成单管、 对管（亦称双管）两种。对管内部包含两只快恢复二极管，根据两只二极管接法的不同，又有共 阴对管、共阳对管之分。图 2(a)是 C 20-04 型快恢复二极管（单管）的外形及内部结构。
(b)图 和(c)图分别是 C92-02 型（共阴对管）、MUR1680A 型（共阳对管）超快恢复二极管的外形与 构造。它们均采用 TO-220 塑料封装快恢复二极管dglxdz，主要技术指标见表 1。几十安的快恢复二极管一般采用 TO-3P 金属壳封装。更大容量（几百安～几千安）的管子则采 用螺栓型或平板型封装形式。 2．检测方法 检测方法 （1）测量反向恢复时间 测量反向恢复时间 测量电路如图 3。由直流电流源供规定的 IF，脉冲发生器经过隔直电容器 C 加脉冲信号，利用 电子示波器观察到的 trr 值，即是从 I=0 的时刻到 IR=Irr 时刻所经历的时间。 设器件内部的反向恢电荷为 Qrr，有关系式 trr≈2Qrr/IRM (5.3.1)由式(5.3.1)可知，当 IRM 为一定时，反向恢复电荷愈小快恢复二极管dglxdz，反向恢复时间就愈短。（2）常规检测方法 常规检测方法 在业余条件下，利用万用表能检测快恢复、超快恢复二极管的单向导电性，以及内部有无开路、 短路故障，并能测出正向导通压降。若配以兆欧表，还能测量反向击穿电压。 实例：测量一只 C90-02 超快恢复二极管，其主要参数为：trr=35ns，Id=5A，IFSM=50A，VRM=7 00V。
外型同图(a)。将 500 型万用表拨至 R×1 档，读出正向电阻为 6.4 ，n′=19.5 格；反向电 阻则为无穷大。进一步求得 VF=0.03V/格×19.5=0.585V。证明管子是好的。 注意事项： （1）有些单管，共三个引脚，中间的为空脚，一般在出厂时剪掉，但也有不剪的。 （2）若对管中有一只管子损坏，则可作为单管使用。 （3）测正向导通压降时，必须使用 R×1 档。若用 R×1k 档，因测试电流太小，远低于管子的正 常工作电流，故测出的 VF 值将明显偏低。在上面例子中，如果选择 R×1k 档测量，正向电阻就 等于 2.2k ，此时 n′=9 格。由此计算出的 VF 值仅 0.27V，远低于正常值(0.6V)。
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