肖特基二极管和快恢复二极管有什么区别肖特基二极管的基本原理是：在金属（例如铅）和半导体（N 型硅片）的接触面上，用已形成 的肖特基来阻挡反向电压。肖特基与 PN 结的整流作用原理有根本性的差异。其耐压程度只有 40V 左右。其特长是：开关速度非常快：反向恢复时间特别地短。因此，能制作开关二极管和低压大 电流整流二极管。肖特基二极管(Schottky Barrier Diode)它是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除钨材 料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓，多为型半导体。这种 器件是由多数载流子导电的，所以，其反向饱和电流较以少数载流子导电的 PN 结大得多。由于 肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频率响仅为 RC 时间常数限制，因而，它是 高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达 100GHz。并且，MIS（金属－绝缘体－半导体） 肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。肖特基二极管(Schottky Diodes)： 肖特基二极管利用金属与半导体接触所形成的势垒对电流 进行控制。它的主要特点是具有较低的正向压降（0.3V 至 0.6V）；另外它是多子参与导电，这就 比少子器件有更快的反应速度。
肖特基二极管常用在门电路中作为三极管集电极的箝位二极管， 以防止三极管因进入饱和状态而降低开关速度。肖特基势垒二极管 SBD（Schottky Barrier Diode，简称肖特基二极管）是近年来间世的低功 耗、大电流、超高速半导体器件。其反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅 0.4V 左右，而整流电流却可达到几千安培。这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。中、小功率 肖特基整流二极管大多采用封装形式。1．结构原理综上所述，肖特基整流管的结构原理与 PN 结整流管有很大的区别通常将 PN 结整流管称作 结整流管，而把金属-半导管整流管叫作肖特基整流管，近年来，采用硅平面工艺制造的铝硅肖 特基二极管也已问世，这不仅可节省贵金属，大幅度降低成本，还改善了参数的一致性。肖特基整流管仅用一种载流子（电子）输送电荷，在势垒外侧无过剩少数载流子的积累，因 此，不存在电荷储存问题（Qrr→0），使开关特性获得时显改善。其反向恢复时间已能缩短到 10ns 以内。但它的反向耐压值较低，一般不超过去时 100V。因此适宜在低压、大电流情况下工作。 利用其低压降这特点，能提高低压、大电流整流（或续流）电路的效率 。
快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管（5us 以下），工艺上多采用掺金措施，结构上有 采用 PN 结型结构，有的采用改进的 PIN 结构。其正向压降高于普通二极管（1-2V），反向耐压 多在 1200V 以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒 或更长，后者则在 100 纳秒以下。 肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管，简称肖特基二极管(Schottky Barrier Diode)，具有正向压降低（0.4—1.0V）、反向恢复时间很短（0-10 纳秒），而且反向漏电 流较大，耐压低，一般低于 150V，多用于低电压场合。这两种管子通常用于开关电源。 肖特基二极管和快恢复二极管区别：前者的恢复时间比后者小一百倍左右，前者的反向恢复时间大约为几纳秒！ 前者的优点还有低功耗，大电流，超高速！电特性当然都是二极管！快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到 较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件.肖特基二极管：反向耐压值较低(一般小于 150V)，通态压降 0.3-0.6V，小于 10nS 的反向恢复 时间。
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