三极管和二极管二极管、三极管相关知识整理

二极管的伏安特性

硅管导通电压0.6~0.8V，反向饱和电流小于0.1uA

锗管导通电压0.1-0.3V，反向饱和电流几十uA

稳压二极管

反向击穿时，在一定电流范围内，电压值几乎不变，表现出稳压特性。

只要不超过稳压管的额定功率，电流越大，稳压效果越好

晶体三极管

临界饱和和临界放大：UBE=UCE

截止区：UBE≤UON,UCE≥UBE

放大区：UBE＞UON,UCE≥UBE

饱和区：UBE＞UON,UCE＜UBE

当IB=0时, IC→0 ,称为三极管处于截止状态，相当于开关断开;

当IB>0时, IB轻微的变化,会在IC上以几十甚至百多倍放大表现出来;

当IB很大时，IC变得很大，不能继续随IB的增大而增大，三极管失去放大功能，表现为开关导通。

三极管核心功能：

放大功能：小电流微量变化，在大电流上放大表现出来。

开关功能：以小电流控制大电流的通断。

三极管的放大功能

IC = β * IB （其中β≈ 10~400 ）

例：当基极通电流IB=50μA时,集极电流:

IC=βIB=120*50μA=6000μA

微弱变化的电信号通过三极管放大成波幅度很大的电信号，如下图所示：

所以，三极管放大的是信号波幅，三极管并不能放大系统的能量。

能放大多少，取决于三极管的放大倍数β值

光敏二极管光敏三极管_光敏二极管三极管_三极管和二极管

首先β由三极管的材料和工艺结构决定：

如硅三极管β值常用范围为：30~200

锗三极管β值常用范围为：30~100

β值越大，漏电流越大，β值过大的三极管性能不稳定。

其次β会受信号频率和电流大小影响：

信号频率在某一范围内，β值接近一常数，当频率越过某一数值后，β值会明显减少。

β值随集电极电流IC的变化而变化，IC为mA级别时β值较小。一般地，小功率管的放大倍数比大功率管的大。

温度几乎影响三极管所有的参数，其中对以下三个参数影响最大。

（1）对放大倍数β的影响：

在基极输入电流IB不变的情况下，集极电流IC会因温度上升而急剧增大。

（2）对反向饱和电流（漏电流）ICEO的影响：

ICEO是由少数载流子漂移运动形成的，它与环境温度关系很大，ICEO随温度上升会急剧增加。温度上升10℃，ICEO将增加一倍。

虽然常温下硅管的漏电流ICEO很小，但温度升高后，漏电流会高达几百微安以上。

（3）对发射结电压 UBE的影响：

温度上升1℃，UBE将下降约2.2mV。

温度上升，β、IC将增大，UCE将下降，在电路设计时应考虑采取相应的措施，如远离热源、散热等,克服温度对三极管性能的影响。

一般地：锗管为PNP型，硅管为NPN型

复合管

复合管的组成原则：

1.在正确的外加电压下，每只管子的各级电流均有合适的通路，且均工作在放大区或恒流区；

2.为实现电流的放大，应将第一级管子的集电极（漏极）或发射级（源级）电流作为第二只管子的基极电流；

3.三极管和场效应管联合使用时，场效应管的栅极电阻无穷大，会使前端无输出电流，而不符合。

在电子电路中，放大的对象是变化量，放大的本质是在输入信号的作用下，通过有源元件（晶体管或场效应管）对直流电源的能量进行控制和转换，使负载从电源中获得的输出信号能量比信号源向放大电路提供的能量大的多。晶体管放大电路有共射、共集、共基三种接法，场效应管有共源、共漏接法（与晶体管放大电路共射、共集接法相对应）。以下通过3个主要性能（放大倍数A、输入电阻Ri、输出电阻Ro）指标对晶体管三种基本接法进行比较。

基本共射放大电路，交流通路，等效电路

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