先来说一下电容的测量方式吧，电容测量方式有很多，其中一种是基于对RC 电路的时间常数的计算，电容的充电速度与R 和C 的大小有关，R 与C 的乘积越大，充电时间就越长。这个RC 的乘积就叫做RC电路的时间常数τ， 即T=R∙C。若R的单位用欧姆，C 的单位用法拉，则T的单位为秒
要知道电容大小，只要知道充电时间T和充电电阻R的值就行了。
那么怎么用51求出充电时间T和充电电阻R的值呢？不要急，慢慢来。
先说求充电时间T的方法吧（方法很多，这里介绍一下最简单的），先介绍一下电容充电时电压的一般规律：在两端电压Uc随t的变化曲线中，Uc 是按指数规律上升的，Uc 开始变化较快，以后逐渐减慢，并缓慢地趋近其最终值。假设当t=τ时，Uc到达能达到的最大值U，那么我们便可以计算出电容两端电压从0到U所花的时间。这个计算过程可以用51单片机的外部中断来实现，可以将51单片机的外部中断设定为下降沿触发。当第一次下降沿来临时，在中断程序中，启动定时器的计时；在第二次下降沿来临时，再停止定时器。这样一来，计时器所统计的数值，就代表了脉冲的周期。定时器在计时方式下，是针对机器周期计数，在晶振为 12MHz 时，计时的结果将在 0~65536us 范围内。以 ms 为单位，就是：00.000 ~ 65.535ms。这样就可以得到充电时间T了。
充电电阻的话，由于你这个问题的重点是用单片机测电容，那么电阻就直接用电表测吧，默认测出结果为R。
注意：T=R*C计算公式T的单位是s。
用单片机进行计算时可以先直接用计数值*脉冲周期得到us为单位的时间，用us单位的时间进行计算，C=T/R，只要在往数码管上显示数字的时候在前5位弄个小数点就行。
最后，大功告成！！！
还有个问题，就是测的电容可能很大，那么依据公式怎么测电容，我们也可以知道只要改变T或R的值就行了。
一种方法是换较低频率的晶振，单片机计数器的最大值是确定了的，通过减小晶振频率来增大脉冲周期，就能增大T的范围，就可以测比较大容量的电容了，但这种方法，不建议使用，因为改变晶振对单片机的整个内部运行会造成很大问题，里面的reg51.h文件里面的内容可能得改些。
第二种方法简单了怎么测电容，直接换个小点的充电电阻就完事。。。
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