提高开关器件的效率？结电容电荷或许比正向电压更重要

肖特基势垒二极管是一种单极器件，这意味着电子（多数载流子）是导通过程中传导电流的唯一载流子。由于碳化硅的宽带隙，相较于普通的硅，其呈现出更高的肖特基势垒，由此导致了更高的开启电压（二极管导通过程中的正向偏置电压）。但是结电容，碳化硅所具备的更高的肖特基势垒和介电强度同样使得碳化硅肖特基二极管的额定电压轻松地达到了3300V。与此同时结电容，硅基肖特基二极管的额定电压很少超过200V。如今，碳化硅肖特基二极管已经取代了硅基PiN二极管（该器件为具有更高反向恢复电荷和更长反向恢复时间的双极器件），应用在了包括开关二极管等诸多应用中。

由于正向电压（VF）直接反映了传导损耗，因此大多数工程师在浏览碳化硅肖特基二极管的数据手册时，正向电压会是其重点关注的参数。然而，由斯坦福大学科学家发表的一篇文章指出，结电容电荷（Qc）是与正向电压同等重要的参数。该文作者使用商业级碳化硅肖特基二极管作对比实验，在设定的工作条件下，实验结果展示了高正向电压和低结电容电荷的二极管表现得要比低正向电压和高结电容电荷的二极管要更好。二极管在结电容每个充放电过程中都会有能量耗散是导致此结果的原因。

综上，在评估碳化硅肖特基二极管的性能表现时，使用正向电压*结电容电荷（VF*Qc）是一个更好的衡量指标。总的说来，如果有效电流相对较低，和/或开关频率相对较高，那么选择低结电容电荷的碳化硅肖特基二极管要比选择低正向电压的二极管在提高效率方面会更有帮助。

文章由启和科技编辑