这个参数控制着晶体元件的品质因数，还决定所应用电路中的晶体振荡电平，因而影响晶体的稳定性以致是否可以理想的起振。指晶体元件与规定外部电容相串联，在负载谐振频率FL时的电阻。、20pF、30pF、50pF、∝等，其中当CL标为∝时表示其应用在串联谐振型电路中，不要再加负载电容，并且工作频率就是晶体的(串联)谐振频率Fr。动态电感与动态电容是一对相关量。

说白了就是把直流电源中的交流分量，通过电容耦合到电源地中，起到了净化直流电源的作用。我们经常看见，有时会看到有一个电容量较大的电解电容并联了一个小电容，其实大的电容通低频，小电容通高频，这样才能充分滤除高低频。电容器与电阻器配合使用，确定电路的时间常数。对于专门的储能作用的电容，电容储能的机理为双电层电容以及法拉第电容，其主要形式为超级电容储能。

本文通过四个简单的概念，介绍四种不同的芯片。它们是光电子芯片的基础。迄今为止，四种不同的芯片都是在半导体材料上发展起来的，也可以被叫做半导体芯片。所谓的集成电路也就是电子芯片的一种，就是我们大家每天都听说的，每天都在用的IC芯片。纵观半导体芯片的发展历史，电子芯片/集成电路、光子芯片、光电子芯片都仅仅只是其中的一个特殊阶段。

我们来谈谈芯片制造工艺和技术要求？让我们从硅的净化开始，实际上，芯片制造中使用的硅是从普通沙子中提取的。在这个过程中，光刻机的精度直接决定了芯片的加工过程，在这台设备上，荷兰ASML的制造商几乎垄断了整个行业，国内芯片OEM巨头无法获得最先进的ASML，这也是中芯国际获得更快推广的难点。

由此可见，电阻、电感、电容就是能源转换的元件。电阻、电感实现不同种类能量间的转换，电容则实现电势能与电场能的转换。也就是说，电容的电流其实是外部电流，而非内部电流，这与电阻、电感都不一样。电感上的电流落后电压90°相位所以，电感上电流落后感应电压90°相位，或者说感应电压超前电流90°相位。更简洁的记忆：电容使电流相位超前，电感使电压相位超前。

也因此，福特汽车已经明确表示：将为利润率高的汽车优先配备芯片。福特表示，在可能的情况下，该公司将优先为利润率最高的汽车配备芯片。当地时间周四，福特汽车表示，在缺少某些零部件以及两家组装厂因芯片短缺而闲置的情况下，该公司将在北美组装其高利润的F-150皮卡和EdgeSUV。目前，全球芯片短缺问题已经在很大程度上影响了汽车行业，这迫使几家汽车制造商停产。

Vi正半周时；开始充电，电容C充电至V值，此时钳位二极管导通，Vo=0V。Vi负半周时，停止充电，电容上的电压为-V，同时加上负半周电压-V，Vo=-2V。Vi负半周时，二极管DOFF，RC时间常数足够大，Vo=VC+Vi(负半周)=2V。当输出电压大于VDD；D1导通，D2截止，Pin的电压为VDD(忽略二级管的导通压降)；它利用二极管的单向导通性进行整流，常用来将交流电转变为直流电。

HUB一般需外部提供时钟信号，需要外挂一颗晶振，常有客户问到，如何结合晶振的负载电容计算外匹配电容容值以及在晶振振荡电路设计时需注意哪些事项，所以小编对此做一个归纳总结，如有不正确之处，欢迎指正。(1)晶振负载电容定义(3)晶振负载电容外匹配电容CL1及CL2计算如果实际的负载电容配置不当,第一会引起线路参考频率的误差.

充放电时间，不光与L、C的容量有关，还与充/放电电路中的电阻R有关。“1UF电容它的充放电时间是多长？例如，电压为E的电池通过R向初值为0的电容C充电,V0=0，V1=E，故充到t时刻电容上的电压为：3提供一个恒流充放电的常用公式：⊿Vc=I*⊿t/C.对于恒流充放电的常用公式：⊿Vc=I*⊿t/C，其出自公式：Vc=Q/C=I*t/C。

可能有人会说，那电容不就是跟蓄电池一样了吗?它的表示法和瓷质电容是一样的227就是了，220000000微微法，简单吧!说了这么多要说说电容器是干什么用的了，电容器虽说能储存电能但是很少有拿它当电池用的，那么拿它作什么用呢?在mpn电路中主要用它做滤波来用，原来电容有一个重要特性就是“通交流，隔直流”，什么意思?