按晶振规格的 Load Capacitance (CL) 选择 C1 C2 以符合以下公式 CL = Cstray + (C1 C2)/(C1+C2) Cstray: 实际电路上的杂散电容今天要做晶振的 second source晶振电容，把晶振焊上去后发现普遍比较低，要求是 25M +/-20ppm， 就是说偏差不超过 500Hz，但是测量三片，只有一片合格，其他两片均偏小几百赫兹。查了 数据手册得知实际频率和标称频率之间的关系： Fx = F0(1+C1/(C0+CL))^(1/2); 而 CL = Cg*Cd/(Cg+Cd)+Cs;其中 Cs 为杂散电容，Cg 和 Cd 为我们外部加的两个电容，通常 大家取值相等，它们对串联起来加上杂散电容即为晶振的负载电容 CL. 具体公式不用细想，我们可以从中得知负载电容的减小可以使实际频率 Fx 变大， 我们可以改变的只有 Cg 和 Cd，通过初步的计算发现 CL 改变 1pF,Fx 可以改变几百 Hz。 原有电路使用的是 33pF 的两个电容， 则并联起来是 16.5pF，我们的贴片电容只有 27pF,33pF晶振电容， 39pF,所以我们选用了 27pF 和 39pF 并联，则电容为 15.95pF。电容焊好后，测量比原来大 了 200 多赫兹，落在了设计范围内。 结论：晶振电路上的两个电容可以不相等，通过微调电容的值可以微调晶振的振荡频率，不 过如果你测了几片晶振，频率有大有小，而且偏移较大，那么这个晶振就是不合格的。
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