快恢复二极管与肖特基二极管 快恢复二极管的作用与肖特基二极管的区别_电子/电路_工程科技_专业资料

快恢复二极管的作用答 1: 一般地说用于较高频率的整流和续流。 至于电源模块的输入部份，好像频率不高，不必用快恢复二极管，用普通二极管即可。 答 2: .对于二极管来说，加在其两端的电压由正向变到反向时，响应时间一般很短，而相反的由反向 变正向时其时间相对较长，此即为反向恢复时间，当二极管用做高频整流等时，要求反向恢复时 间很短，此时就需要快恢复二极管（FRD），更高的超快恢复二极管（SRD），开关二极管， 最快的是肖特基管（其原理不同于以上几个二极管）快恢复二极管（简称 FRD）是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管，主 要应用于开关电源、PWM 脉宽调制器、变频器等电子电路中，作为高频整流二极管、续流二极 管或阻尼二极管使用。快恢复二极管的内部结构与普通 PN 结二极管不同，它属于 PIN 结型二极管，即在 P 型硅材 料与 N 型硅材料中间增加了基区 I，构成 PIN 硅片。因基区很薄，反向恢复电荷很小，所以快 恢复二极管的反向恢复时间较短，正向压降较低，反向击穿电压（耐压值）较高。通常，5~20A 的快恢复二极管管采用 TO–220FP 塑料封装，20A 以上的大功率快恢复二 极管采用顶部带金属散热片的 TO–3P 塑料封装，5A 以下的快恢复二极管则采用 DO–41、D O–15 或 DO–27 等规格塑料封装。

肖特基二极管和快恢复二极管有什么区别 快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管（5us 以下），工艺上多采用掺金措施，结构上有采用 PN 结型结构，有的采用改进的 PIN 结构。其正向压降高于普通二极管（0.5-2V），反向耐压 多在 1200V 以 下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长，后 者则在 100 ns(纳秒)以下。肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管，简称肖特基二极管 (Schottky Barrier Diode），具有正向压降低（0.4--1.0V）、反向恢复时间很短（2-10ns 纳秒），而且反向 漏电流较大，耐压低，一般低于 150V，多用于低电压场合。 肖特基二极管和快恢复二极管区别：前者的恢复时间比后者小一百倍左右，前者的反向恢复 时间大约为 几纳秒！前者的优点还有低功耗，大电流，超高速！电特性当然都是二极管！ 快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能 得到较高的 耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件.肖特基二极管：反向耐压值较低(一般小于 150V），通态压降 0.3-0.6V快恢复二极管与肖特基二极管，小于 10nS 的反 向恢复时间。

它 是有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除材料外，还 可以采用 金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓，多为 N 型半导体。这种器件是由 多数载流子导 电的，所以，其反向饱和电流较以少数载流子导电的 PN 结大得多。由于肖特基二极管中少 数载流子的存 贮效应甚微，所以其频率响仅为 RC 时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。 其工作频率 可达 100GHz。并且，MIS（金属－绝缘体－半导体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电 池或发光二极 管。快恢复二极管：有 0.8-1.1V 的正向导通压降，35-85nS 的反向恢复时间，在导通和截止 之间迅速转换， 提高了器件的使用频率并改善了波形。快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等 工艺,可获得 较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流 元件.快恢复二极管 FRD（Fast Recovery Diode）是近年来问世的新型半导体器件，具有开关 特性好，反向恢 复时间短、正向电流大、体积小、安装简便等优点。超快恢复二极管 SRD（Superfast Recovery Diode ），则是在快恢复二极管基础上发展而成的，其反向恢复时间 trr 值已接近于肖特基二极管的 指标。